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SE-VE光譜橢偏儀
本設(shè)備基于單旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器調(diào)制技術(shù)一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實(shí)現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學(xué)常數(shù)的快速分析表征。
SE-VE光譜橢偏儀
本設(shè)備基于單旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器調(diào)制技術(shù)一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實(shí)現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學(xué)常數(shù)的快速分析表征。 1) 光譜范圍：400-800nm 2) 入射角：65° 3) 光斑大?。?/font>200μm 4) 調(diào)制技術(shù)：PCRSA調(diào)制技術(shù) 5) 重復(fù)性測(cè)量精度：0.01nm（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復(fù)測(cè)量） 6) 膜厚測(cè)量范圍：0.1nm—20μm 7) 單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間：＜5s 8) 光源：高性能進(jìn)口鹵素?zé)艄庠矗u素?zé)魤勖?/font>2,000h） 9) 可視化樣品顯微對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 2、 樣品臺(tái)規(guī)格： 1) 基板尺寸：最大支持樣件尺寸到Ф180mm 2) Z軸位移行程：0-10mm 3) 樣件臺(tái)俯仰角度：> ±2° 3、 測(cè)控與分析軟件 1) 光譜測(cè)量能力：PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜、反射率光譜測(cè)量 2) 數(shù)據(jù)分析能力：具備單層、多層膜厚、光學(xué)常數(shù)（折射率、消光系數(shù)）分析能力 3) 支持常用光學(xué)常數(shù)模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等），并支持圖形化多振子混合模型擬合功能 4) 支持多組分薄膜與體材料光學(xué)常數(shù)、組分比例分析功能； 核心算法包含嚴(yán)格耦合波模型、等效介質(zhì)模型 5）支持用戶自定義，軟件不限制拷貝數(shù)量，支持windows10操作系統(tǒng)